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加油站led防爆灯100W

更新时间:2023-11-09

简要描述:

加油站led防爆灯100W,加油站led防爆灯产品特点
7.外壳采用铝合金压铸成型,表面经高压静电粉末喷塑处理;
8.翅片式结构外壳,增强散热效果;
9.可配装高亮度LED光源,性能稳定可靠;
10.高亮度LED光源体积小、光效高、功耗低、理论寿命长达100000小时;
11.宽电压范围,满足用户工业现场的使用要求;
12.高强度平板钢化玻璃灯罩,抗高强度冲击;

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加油站led防爆灯100W,加油站led防爆灯

LED路灯的设计要求

 

1、照明用LED的大特色是具有定向发射光的功效,由于功率型LED险些都装有反射器,并且这类反射器的效力都显著高于灯具的反射器效力。别的,LED的光效检测时曾经包括了自己反射器的效力。采纳LED的途径灯具应尽能够地应用LED的定向发射光的特征,使途径灯具中的各个LED分离间接把光芒射向被照路面的各个地区,再应用灯具反射器的帮助配光,来完成很正当的途径灯具的综合配光。应当说,途径灯具要真正做到相符CJJ45-2006和CIE31和CIE115尺度的照度和照度平均度请求,灯具内应包括三次配光的功效才能比较好地完成。,而带反射器的并且具有正当的光束输入角度的LED自己就具有良好的一次配光功效。在灯具内,能依照路灯具高度及路面宽度计划各个LED的装置地位和发射光的偏向就可以完成良好的二次配光功效。在此类灯具中的反射器,只作为帮助的三次配光手腕,来包管途径照度更好的平均度。

加油站led防爆灯产品简介

  1. 适用于爆炸性气体环境1区、2区;
  2. 适用于ⅡA、ⅡB、ⅡC级爆炸性气体环境;
  3. 适用于温度组别为T1~T6/T4的环境;
  4. 配装高亮度LED光源;
  5. 可根据用户要求配带应急功能;
  6. 适用于石油采炼、储存、化工、医疗、及军事设施等爆炸性危险环境。

加油站led防爆灯产品特点

  1. 外壳采用铝合金压铸成型,表面经高压静电粉末喷塑处理;
  2. 翅片式结构外壳,增强散热效果;
  3. 可配装高亮度LED光源,性能稳定可靠;
  4. 高亮度LED光源体积小、光效高、功耗低、理论寿命长达100000小时;
  5. 宽电压范围,满足用户工业现场的使用要求;
  6. 高强度平板钢化玻璃灯罩,抗高强度冲击;
  7. 灯具隔爆接合面设有“O”形密封圈,防水性能好;
  8. 采用止口或胶粘结构,一体式设计,能快速开启,便于安装与维护;
  9. 外露紧固件采用不锈钢材质;
  10. 电缆或钢管布线。

加油站led防爆灯技术参数

  1. 执行标准:GB 3836.1GB 3836.2GB 3836.3GB 12476.1IEC60079
  2. 防爆标志:ExdⅡCT6
  3. 额定电压:AC220V
  4. 配装光源:20W、30W、40W、50W、60W、70W、80W、90W、100W、110W、120W、130W、140W、150W
  5. 防护等级:IP66
  6. 防腐等级:WF1
  7. 引入口规格:G3/4
  8. 适用电缆外径:Φ9mm~Φ14mm

加油站led防爆灯100W,加油站led防爆灯

 

光源功率: 80/100/120/150/180W 任选
输入电压:220V AC(范围95-265V
频率:50Hz(范围47-63 Hz
发光角度:45°/60°/90°/120°/140°任选
防爆等级:Ex dC T6
防腐等级:WF2
防护等级:IP66
功率因数:>0.95
总谐波电流:<15%
灯具效率(%):90%
色温(K):暖白:2700-4000K;纯白:5000-6500K(可选)
结温(TJ)):<65
显色指数(CRI):Ra70
光效:﹥80lm/W
工作环境:温度:-3055;湿度:10-90%RH(25)
仓储温度:-40-60
使用寿命:﹥50000Hs
材料:铝合金

LED路灯的发展简史

 作为受注目的新一代光源,LED因其高亮度、低热量、短命命、无毒、可回收再应用等优点,被称为是21世纪有开展前景的绿色照明光源。

 从1962年*只红光半导体发光二极管诞生起,人们不断开发出橙、黄、绿等多种单色LED,并用于各种信号指示、标识、数码显示,逐步发展到小型LED显示屏等。它利用固体半导体芯片作为发光材料,当放出过剩的能量,引起光子发射,产生可应用半导体PN结发光源制成的LED,问世于20世纪60年代初,1964年红色发光二极管首先研发成功,黄色LED随之出现。

 

*款商用发光二极管( LED)是在1965年用锗材料作成的,其单价为45美元。随后不久,Monsanto和惠普公司陆续推出了用GaAsP材料制作的商用化LED。这比一般60~100W白炽灯的151m低得多1991年业界采用MOCVD外延生长四元系材料,开发出高亮度发光二极管;1994年在GaN基片上研制出*只蓝色的发光二极管;1997年通过蓝光激发荧光粉,做出*只白光LED;2001年用紫外光激发荧光粉做成了白光LED。

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